AlGaN肖特基势垒二极管的研制

• 作者: 叶志镇 林景瑜 江红星 赵炳辉 邵庆辉 黄靖云
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 肖特基势垒二极管 势垒高度
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1244-1247
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2004.10.002

摘要

为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95 V),理想因子为1.93.经300℃1 min退火,该器件正、反向I-V特性都得到明显改善.采用变温I-V法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08 eV,更适合在高压、大电流条件下工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	邵庆辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	27	3.0	5.0