有限深量子阱中电子迁移率的压力效应

• 作者: 班士良 郝国栋
• 来源期刊: 内蒙古大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 迁移率 压力效应 GaAs/AlxGa1-xAs
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 520-524
• 页数: 5页
• 分类号: O471.3
• 字数: 3080字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1638.2005.05.008

摘要

考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着阱宽的增加,局域类体光学声子模对迁移率的影响逐渐增加;两种声子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力增加而减小,在窄阱时压力效应更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	郝国栋	内蒙古大学理工学院物理系	1	0	0.0	0.0