Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析

• 作者: 任晓敏 王兴妍 陈斌 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 热应力 剥离应力 应变能 晶片键合
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 421-424,427
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.05.015

摘要

利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果.最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信中心	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信中心	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学光通信中心	59	282	10.0	12.0
4	陈斌	北京邮电大学光通信中心	27	158	7.0	10.0
5	王兴妍	北京邮电大学光通信中心	12	89	7.0	9.0