硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

• 作者: 张晓兵 王保平 雷威 高迎宾
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 数学
• 关键词: 场发射 离子轰击 数值模拟
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: O462.4|O242
• 字数: 3362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2005.01.006

摘要

离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了分析,得出了一些结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王保平	东南大学电子工程系	70	304	9.0	13.0
2	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
3	张晓兵	东南大学电子工程系	87	746	13.0	24.0
4	高迎宾	东南大学电子工程系	2	6	1.0	2.0