场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响

• 作者: 林祖伦 王小菊 祁康成 裴文俊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列 硅片 牺牲层 腐蚀 逸出功
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 固体电路
• 页码范围: 1011-1014,1018
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.005

摘要

研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好.这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使高逸出功的p-Si基底与Mo尖锥形成Mo为阳极、p-Si为阴极而导致Mo尖锥被腐蚀;低逸出功n-Si基底则避免了这种现象的发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
4	裴文俊	电子科技大学光电信息学院	1	3	1.0	1.0