快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响

• 作者: 万之坚 张厚兴 张立明 李海峰 王文静 许颖 黄勇
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 多晶硅薄膜 快速热化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 页码范围: 1149-1151
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.1
• 字数: 2001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.z2.146

摘要

选用Al2O3陶瓷作为衬底,采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜.实验研究了温度对薄膜生长的影响,结果表明,硅层的沉积速率随着温度升高而加快,并逐渐趋向1个稳定值.晶粒尺寸也随着温度升高而增大,在温度达到1000℃后保持不变.在此硅薄膜上,采用磷扩散掺杂,制备出太阳能电池器件,并且分析了掺杂量对电池效果的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇	清华大学材料科学与工程系	173	2711	27.0	42.0
5	许颖		39	349	12.0	17.0
6	王文静		35	350	10.0	18.0
7	张立明	清华大学材料科学与工程系	10	75	4.0	8.0
8	李海峰	清华大学深圳研究生院	21	226	8.0	15.0
9	万之坚	清华大学材料科学与工程系	11	42	3.0	6.0
10	张厚兴	清华大学材料科学与工程系	9	44	4.0	6.0