氧气分压对磁控溅射法制备ZAO膜的影响

• 作者: 余俊 赵修建 赵青南
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 ZAO薄膜 氧气分压
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 14-15,43
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 1351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2005.01.005

摘要

利用直流磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜.研究了溅射过程中氧气分压对ZAO薄膜的结构和光电特性的影响,结果表明:当氧气分压为0 Pa时,薄膜结晶度良好,具有最小电阻率和较高的可见光透过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余俊	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	19	178	7.0	13.0
2	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
3	赵青南	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	45	423	12.0	19.0