高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究

• 作者: 刘泽文 刘理天 宣云 李志坚 雷啸锋
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 微机电系统 共面波导 特征阻抗
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 158-164
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2005.02.007

摘要

设计并实现了基于高阻硅RF-MEMS(射频-微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值.利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50 Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5 μm厚的金共面波导结构.在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量.计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较.实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2 Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8 Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
4	雷啸锋	清华大学微电子学研究所	6	17	3.0	4.0
5	宣云	清华大学微电子学研究所	5	16	3.0	4.0