在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导

• 作者: 周帆 朱洪亮 杨华 王圩 谢红云 赵玲娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共面波导 高阻硅 微波损耗 高频 光电子封装
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 字数: 623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.001

摘要

分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	32	94	6.0	7.0
2	杨华	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	25	115	6.0	9.0
3	王圩	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	47	124	6.0	7.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	28	59	4.0	5.0
5	赵玲娟	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	27	84	5.0	7.0
6	谢红云	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	3	20	3.0	3.0