LaTiO3+x薄膜生长氧压对薄膜结构和输运性能的影响

• 作者: 孙小松 李洁 王奉波 郑东宁 雍俐培 黎松林
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子强关联 Mott绝缘体 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.015

摘要

利用脉冲激光沉积 (PLD)的方法,在750℃的生长温度,不同的氧气气氛下(6.6×10-4Pa～50Pa)制备了LaTiO3+x(LTO)薄膜.反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测表明我们所制备的薄膜表面平整光滑,面内取向较好.X射线衍射 (XRD)数据表明:LaTiO3+x薄膜特征峰的位置随生长氧压的变化而发生变化.当氧压增大时,衍射峰对应的2θ角减小,并且在中间氧压时,衍射峰宽化.我们认为氧压增大,使得薄膜中氧含量增加.随着x值的增加,薄膜的电输运性能发生显著改变.在高真空度条件下生长的薄膜表现出很强的金属性,当氧压增加时,材料的电阻率显著增大.实验中测量的所有样品的电阻率都保持正的温度系数,并且在一个相当大的温度区间内与温度的平方呈线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑东宁	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	15	116	5.0	10.0
2	王奉波	四川大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0
6	李洁	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	55	546	12.0	21.0
7	雍俐培	四川大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0
11	黎松林	中国科学院物理研究所超导国家重点实验室	3	9	2.0	3.0
12	孙小松	四川大学材料科学与工程学院	9	77	4.0	8.0