在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN

• 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 毕朝霞 江若琏 濮林 谢自力 赵红 郑有炓 陈敦军 韩平 顾书林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InN 预淀积In纳米点 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1050-1055
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.014

摘要

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.