一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究

• 作者: 刘金锋 张西庚 徐彭寿 潘海滨 王文君 王科范 邹崇文
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束蒸发器 Si单晶薄膜 Ge量子点 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 工业研究与应用
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 2752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.019

摘要

我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	潘海滨	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	5	50	3.0	5.0
3	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0
4	邹崇文	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	10	51	4.0	7.0
5	王科范	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	8	45	3.0	6.0
6	张西庚		1	14	1.0	1.0
7	王文君		1	14	1.0	1.0