CMP抛光运动机理研究

• 作者: 靳永吉
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 粗糙度 平整度 抛光运动 片内非均匀性 片间非均匀性
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: IC制造设备
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.09.009

摘要

通过对硅晶片化学机械抛光过程中抛光运动机理的理论分析,研究了硅晶片的抛光运动特性,探讨了主要工艺参数对硅晶片化学机械抛光后晶片表面粗糙度和表面平整度、抛光均匀性的影响规律.