化学机械抛光用SiO2研磨料的制备及其后处理

• 作者: 刘玉岭 李薇薇 檀柏梅 王娟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 硅溶胶 制备 纯化
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 536-538
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.020

摘要

以水玻璃为主要原料、采用多次生长法,低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程,生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品,并实现120 nm大粒径硅溶胶生长可控,突破生长大粒径的难题.并采用离子交换法对产品进行处理,使其金属离子含量降到10-6级,符合微电子工业对相关耗材的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
4	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0