RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒

• 作者: 何建廷 庄惠照 胡丽君 薛守斌 薛成山 高海永
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米棒和纳米颗粒 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 411-414,419
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.09.004

摘要

利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒.X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	高海永	山东师范大学半导体研究所	13	37	4.0	5.0
4	何建廷	山东师范大学半导体研究所	10	61	5.0	7.0
5	胡丽君	山东师范大学半导体研究所	6	24	2.0	4.0
6	薛守斌	山东师范大学半导体研究所	5	22	2.0	4.0