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CMOS射频集成电路的设计
CMOS射频集成电路的设计
作者:
Thomas H. Lee(T.H.李)
罗银芳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS射频集成电路
设计指南
1998年
技术制造
教学内容
噪声系数
充分条件
器件模型
第二版
摘要:
本书是《10^9赫射频(RF)集成电路设计指南》修订后的第二版。自1998年第一版问世后,RFCMOS的商品化突飞猛进,不少公司用CMOS技术制造RF线路,大学也把CMOS作为教学内容,10^9赫频率上的噪声系数在实际线路中已低于1dB,优良的RF器件模型也相继出现……这些都为本书的适时修订提供了充分条件。
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静电放电
保护电路
电源和地
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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篇名
CMOS射频集成电路的设计
来源期刊
国外科技新书评介
学科
工学
关键词
CMOS射频集成电路
设计指南
1998年
技术制造
教学内容
噪声系数
充分条件
器件模型
第二版
年,卷(期)
2005,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
18-19
页数
2页
分类号
TN92
字数
语种
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
罗银芳
中国科学院计算技术研究所
9
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传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
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(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CMOS射频集成电路
设计指南
1998年
技术制造
教学内容
噪声系数
充分条件
器件模型
第二版
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
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主办单位:
中国科学院图书馆
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
北京市海淀区中关村北四环西路33号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
4046
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93
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