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摘要:
本书是《10^9赫射频(RF)集成电路设计指南》修订后的第二版。自1998年第一版问世后,RFCMOS的商品化突飞猛进,不少公司用CMOS技术制造RF线路,大学也把CMOS作为教学内容,10^9赫频率上的噪声系数在实际线路中已低于1dB,优良的RF器件模型也相继出现……这些都为本书的适时修订提供了充分条件。
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电源和地
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 CMOS射频集成电路的设计
来源期刊 国外科技新书评介 学科 工学
关键词 CMOS射频集成电路 设计指南 1998年 技术制造 教学内容 噪声系数 充分条件 器件模型 第二版
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 18-19
页数 2页 分类号 TN92
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗银芳 中国科学院计算技术研究所 9 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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节点文献
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS射频集成电路
设计指南
1998年
技术制造
教学内容
噪声系数
充分条件
器件模型
第二版
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
国外科技新书评介
月刊
北京市海淀区中关村北四环西路33号
出版文献量(篇)
4046
总下载数(次)
93
总被引数(次)
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