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摘要:
理论分析了共熔法在玻璃中生长的CdSe0.9S0.1半导体量子点在恒定外场作用下的电偶极矩.由于玻璃介质与量子点的互溶,共熔法在玻璃中生长的量子点是球形梯度量子点,其相对介电常数沿径向的变化可以采用指数函数模拟.在球坐标系中通过分离变量法求解电势满足的方程,得到球形梯度量子点的电偶极矩与量子点体积成正比,以及与半导体和玻璃介电常数的定量关系.
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半导体量子点
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内容分析
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文献信息
篇名 共熔法在玻璃中生长的半导体量子点的电偶极矩
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 球形梯度量子点 电偶极矩 极化 玻璃
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2374-2377
页数 4页 分类号 O484.1
字数 2680字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 田强 北京师范大学物理系 81 389 11.0 16.0
2 刘惠民 北京师范大学物理系 8 68 5.0 8.0
3 樊洁平 北京师范大学物理系 8 44 4.0 6.0
4 杨永刚 北京师范大学物理系 2 9 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
球形梯度量子点
电偶极矩
极化
玻璃
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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