掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

• 作者: 付俊兴 屈汉章 崔占东 杨燕 杨银堂 王平
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1512-1515
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.08.037

摘要

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子学院	18	93	5.0	8.0
3	王平	西安电子科技大学微电子学院	32	201	9.0	12.0
4	屈汉章	西安邮电学院信控系	27	91	5.0	8.0
5	付俊兴	西安电子科技大学微电子学院	7	20	3.0	4.0
6	崔占东		10	29	3.0	5.0