高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

• 作者: 任慧志 侯国付 宋建 张晓丹 李以钢 王岩 耿新华 薛俊明 赵颖 郭群超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅 太阳电池 高压 氧施主掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 999-1005
• 页数: 7页
• 分类号: TK51
• 字数: 1936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.007

摘要

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.