高压PECVD技术沉积硅基薄膜过程中硅烷状态的研究

• 作者: 任慧志 侯国付 孙建 张德坤 李乙钢 耿新华 薛俊明 赵颖 郭群超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 耗尽状态 微晶硅 光发射谱
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1177-1181
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.093

摘要

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变化的规律,进而研究PECVD方法沉积硅薄膜过程中的硅烷反应状态,并提出可以根据硅烷耗尽程度的不同将硅烷反应状态分为未耗尽、耗尽和过耗尽三种.然后,对不同硅烷反应状态下的材料结构、光电性能以及相应的电池进行了研究,并指出适合于太阳电池本征层的高质量微晶硅材料应该沉积在硅烷耗尽状态.