VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

• 作者: 侯国付 孙健 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 952-957
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 3436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.020

摘要

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2.