辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响

• 作者: 侯国付 孙建 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 过渡区 微区喇曼光谱 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 662-666
• 页数: 5页
• 分类号: TK51
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.041

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品.喇曼测试结果显示:在不同硅烷浓度(SC)条件下,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点;暗电导随晶化率也体现出不同的变化,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的;另外,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈"菜花"状和剖面为柱状的结构特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	熊绍珍	南开大学光电子所	63	380	12.0	18.0
3	薛俊明	南开大学光电子所	26	157	7.0	11.0
4	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
5	孙建	南开大学光电子所	67	311	10.0	14.0
6	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
7	张晓丹	南开大学光电子所	57	247	7.0	14.0
8	魏长春	南开大学光电子所	24	126	6.0	10.0
9	侯国付	南开大学光电子所	23	203	9.0	13.0