单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现

• 作者: 夏冠群 张有涛 李拂晓 杨乃彬 高建峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相位数字化DAC 超高速 GaAs DRFM
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 873-876
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.005

摘要

详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0.5μm全离子注入MESFET工艺完成流片.芯片输入输出阻抗实现在片50Ω匹配.测试结果表明,其工作带宽大于1.5GHz,相位精度小于4%,电路的码流翻转速率大于12Gbps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰		23	98	7.0	9.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	61	307	9.0	16.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
5	张有涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	40	4.0	5.0