超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性

• 作者: 刘国军 叶志镇 吴贵斌 赵星 赵炳辉
• 来源期刊: 浙江大学学报(工学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 选择性外延 锗硅 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与化学工程
• 页码范围: 2041-2043,2078
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2006.12.005

摘要

为了满足高性能的红外探测要求,以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点, 采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550 ℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层.由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件,并研究了该二极管器件的电流-电压特性曲线.结果表明,与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比,该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理,简化了器件制作工艺, 该二极管反向漏电流低2～3个数量级,具有优良的器件电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	赵星	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	116	4.0	10.0
5	刘国军	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	39	3.0	6.0