用金属氧化物半导体场效应晶体管器件实现的高重复率电光调Q模块设计

• 作者: 梁伟 胡永宏 韩永林
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 应用光学 电光调Q 金属氧化物半导体场效应晶体管器件 高重复率
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1329-1333
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 1732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.10.008

摘要

随着激光器的发展,需要高重复率的电光调Q器件.提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术,这种技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(VMOSFET)器件作为调Q模块的主功率开关,运用宽范围可调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路,以及加压调Q和退压调Q的兼容电路.实验中得出:当调Q工作频率为10 kHz时,调Q电压幅度3～5 kV任意可调,电压脉冲宽度小于5 ns,触发抖动时间小于1μs,且可以长期稳定工作.该调Q模块已经用于激光二极管(LD)抽运的无水冷固体Nd:YAG激光器和连续Nd:YAG激光器中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡永宏	长春理工大学科技开发中心	5	17	3.0	4.0
2	韩永林	长春理工大学科技开发中心	15	37	4.0	5.0
3	梁伟	长春理工大学科技开发中心	9	34	3.0	5.0