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摘要:
采用高压探头示波器系统研究了射频辉光放电参数对自偏压的影响规律.结果发现自偏压随着射频功率平方根而线性增加,随纯Ar和Ar,C2H2混合气体气压的降低而降低,自偏压随C2H2的比率增大而增加,而且,射频输入功率在500和700 W下,由射频辉光放电所制备的类金刚石薄膜分别通过Raman光谱和纳米压痕技术测试,研究了这些薄膜的微观结构和机械性能.功率500 W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为0.66)较700W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为1.44)具有较高的硬度和sp3键含量,表明在500 W功率下制备的类金刚石薄膜中有高含量的sp3键.
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文献信息
篇名 射频辉光放电自偏压对类金刚石碳膜结构和性能的影响
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 物理学
关键词 自负偏压 射频放电 类金刚石碳膜 Raman光谱
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 143-145,161
页数 4页 分类号 O484
字数 2347字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.035
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李国卿 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 58 411 12.0 16.0
2 柳翠 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 8 93 5.0 8.0
3 苟伟 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 9 101 6.0 9.0
4 楚信谱 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 3 15 2.0 3.0
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自负偏压
射频放电
类金刚石碳膜
Raman光谱
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真空科学与技术学报
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1672-7126
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1981
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