Cl2/BCl3 ICP刻蚀蓝宝石研究靠

• 作者: 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 董立闽 郭霞
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 刻蚀 蓝宝石 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 243-246
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.020

摘要

由于GaN单晶制备比较困难,通常氮化物光电子器件都是制备在蓝宝石衬底上的,而氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别,使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大,影响了器件的发光效率和寿命.PSS技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用.但是由于蓝宝石很高的硬度和化学稳定性,使其刻蚀难度较大.本文研究了ICP刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为Cl2/BCl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着ICP功率、RF功率和气体总流量的增大单调增大;随着压强的减小首先增大,继而减小.当BCl3比例为80%时,刻蚀速率最大.在BCl3流量为80 sccm,Cl2流量为20 sccm,ICP功率为2 500 W,RF功率为500 W,压强为0.9 Pa,温度为60℃时刻蚀速率达到最大值217 nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学光电子实验室	54	397	11.0	16.0
3	董立闽	北京工业大学光电子实验室	7	30	4.0	5.0
4	宋颖娉	北京工业大学光电子实验室	6	81	4.0	6.0
5	艾伟伟	北京工业大学光电子实验室	5	77	3.0	5.0