射频鞘层中等离子体浓度对离子动量的影响

• 作者: 丁玉成 李志刚
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 等离子体 鞘层 射频 离子 动量 等离子体浓度
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.05.019

摘要

利用射频鞘层模型,推出了离子到达被加工材料表面时的动量的表达式.利用表达式分析了离子轰击材料表面的动量与等离子体浓度的关系.理论分析与实验数据有较好的吻合.等离子体浓度的增大对鞘内离子动量起抑制作用:随等离子体浓度(1015～1016 m-3)增加,离子动量(10-22～10-21kg·m·s-1)减小.等离子体浓度较小(约<3×1015m-3)时,对离子动量有较显著的影响;随等离子体浓度增大(约>3×1015m-3),其作用越来越平缓.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁玉成	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	128	1941	23.0	39.0
2	李志刚	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	56	234	8.0	14.0