循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响

• 作者: 孙明霞 张万里 张树人 郑泽渔 钟朝位 陈祝
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 循环间歇溅射 镧钛酸铅薄膜 铁电性能
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 82-84
• 页数: 3页
• 分类号: TM223
• 字数: 2689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2006.01.027

摘要

采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜.通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响.实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密.薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2.循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学微电子与固体电子学院	49	326	8.0	16.0
2	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
3	陈祝	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	74	6.0	8.0
4	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
5	孙明霞	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	13	2.0	3.0
6	郑泽渔	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	16	3.0	4.0