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摘要:
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晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究
单粒子瞬态脉冲
瞬态脉宽
环形栅
寄生双极放大效应
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管
氮化镓
栅电流
射频特性
石墨烯晶体管转移特性对栅压的依赖现象研究
石墨烯晶体管
转移特性
狄拉克点
迟滞效应
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
石墨烯晶体管
跨导
宽长比
硅MOS晶体管
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 晶体管栅介质物理、工艺和特性表征技术的演变
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2006,(11) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 31-34
页数 4页 分类号 TN4
字数 4474字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2583.2006.11.014
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相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
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15
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