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摘要:
矩形平面直流磁控溅射装置在运行过程中,由于端部区域磁场弱于直道区域磁场,在靶表面对角线位置上容易出现反常刻蚀.通过对这种现象进行分析,该文对反常刻蚀的发生机理提出了新的观点,认为反常刻蚀的发生是由于电子由弱磁场区域向强磁场区域漂移的过程中,电子距靶表面的距离不能够随磁场变化而迅速改变,存在较长的过渡状态.进一步发现在磁体弯道区域沿圆周方向磁场分量的存在是导致弯道区域刻蚀跑道压缩以及跑道内侧刻蚀较快的重要因素.该文研究了不同的磁体初始设计结构对磁场的影响,通过对现有磁体磁场的三维计算分析,提出了磁场的改进原则,并对具体的磁场改进措施进行了研究.通过对现有不同磁场校正方法的比较,提出了一种应用铁块和永磁块对装置端部区域磁场进行校正的新方法.通过对改进后装置的磁场分布进行计算,该文提出的改进措施可以把沿跑道磁场的均匀度控制在5%左右,并且可以削弱沿圆周方向的磁场分量.
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文献信息
篇名 矩形平面直流磁控溅射装置端部磁场分析
来源期刊 中国电机工程学报 学科 工学
关键词 磁控溅射 等离子体 永磁 磁场 设计 改进
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 电工电机
研究方向 页码范围 119-124
页数 6页 分类号 TM153
字数 2844字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-8013.2006.z1.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 励庆孚 西安交通大学电气工程学院 77 2139 26.0 45.0
2 邱清泉 西安交通大学电气工程学院 9 81 6.0 9.0
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研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国电机工程学报
半月刊
0258-8013
11-2107/TM
大16开
北京清河小营东路15号 中国电力科学研究院内
82-327
1964
chi
出版文献量(篇)
16022
总下载数(次)
42
总被引数(次)
572718
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