高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究

• 作者: 任春生 刘峰 马腾才 齐雪莲
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非平衡磁控溅射 增强电离 Cu膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 工程物理、工程力学
• 页码范围: 473-477
• 页数: 5页
• 分类号: O539
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2006.04.002

摘要

采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电离法在Si衬底上沉积了Cu膜,用扫描电镜(SEM)研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度,用X射线衍射(XRD)研究了沉积Cu膜的结构,用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析. 实验结果表明,在该条件下沉积的Cu膜致密,晶粒尺度在100～1 000 nm,膜基界面比较紧密,没有明显的空洞,并且Cu膜呈(111)织构. 通过实验,找到沉积Cu膜的最佳实验参数,并希望这一工艺能应用在集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任春生	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	31	191	8.0	12.0
2	齐雪莲	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	20	3.0	4.0
3	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	81	688	15.0	21.0
4	刘峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	10	90	4.0	9.0