不同辐射环境下CMOS器件总剂量效应测试技术与损伤差异研究

• 作者: 姚志斌 张凤祁 李永宏 罗尹虹 郭宁 郭红霞 龚建成
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: CMOS 测试系统 强光一号加速器 总剂量损伤
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 同步辐射,自由电子激光,核技术应用等
• 页码范围: 79-83
• 页数: 5页
• 分类号: O57
• 字数: 5164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.01.019

摘要

对应用在不同辐射环境下HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及脉冲总剂量效应在线测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套测试系统对典型CMOS器件4007在强光一号加速器脉冲硬X射线状态、长脉冲γ射线状态以及60Co稳态γ射线状态下开展了不同辐射环境总剂量损伤效应的比较研究,为今后深入进行此项工作打下了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	龚建成		27	110	6.0	8.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	李永宏		6	86	4.0	6.0
7	郭宁		17	81	6.0	7.0