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中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜的蓝色发光特性
中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜的蓝色发光特性
作者:
刘斯明
巴德纯
廖国进
闻立时
阎绍峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光致发光
Al2O3
薄膜
Ce
摘要:
本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+.随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
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内容分析
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文献信息
篇名
中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜的蓝色发光特性
来源期刊
真空科学与技术学报
学科
工学
关键词
光致发光
Al2O3
薄膜
Ce
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
技术交流
研究方向
页码范围
421-424
页数
4页
分类号
TB43
字数
2082字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-7126.2006.05.018
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
巴德纯
东北大学机械与自动化学院
250
1491
18.0
22.0
2
廖国进
东北大学机械与自动化学院
19
89
5.0
9.0
4
闻立时
中国科学院金属研究所表面工程部
117
1859
24.0
36.0
5
刘斯明
北京航空航天大学机械与自动化学院
18
309
8.0
17.0
8
阎绍峰
辽宁工学院机械与自动化学院
14
56
4.0
7.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(10)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(3)
二级引证文献
(0)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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二级参考文献(0)
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参考文献(2)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(2)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
光致发光
Al2O3
薄膜
Ce
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
主办单位:
中国真空学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
19905
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