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摘要:
本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+.随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
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文献信息
篇名 中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜的蓝色发光特性
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 光致发光 Al2O3 薄膜 Ce
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 421-424
页数 4页 分类号 TB43
字数 2082字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.05.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 巴德纯 东北大学机械与自动化学院 250 1491 18.0 22.0
2 廖国进 东北大学机械与自动化学院 19 89 5.0 9.0
4 闻立时 中国科学院金属研究所表面工程部 117 1859 24.0 36.0
5 刘斯明 北京航空航天大学机械与自动化学院 18 309 8.0 17.0
8 阎绍峰 辽宁工学院机械与自动化学院 14 56 4.0 7.0
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光致发光
Al2O3
薄膜
Ce
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真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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19905
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