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摘要:
在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒c轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义.采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si(111)作为衬底,制备了a轴择优取向的钛酸铋薄膜.采用X射线衍射(XRD)的薄膜附件和场发射扫描电镜(FSEM)研究了薄膜的结构和形貌;采用傅里叶红外光谱仪测量了室温(20℃)下在石英基片上沉积的样品的光学特性;室温下沉积的钛酸铋薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均大小为20 nm,其光学禁带宽度约为1.0 eV.在500℃沉积的钛酸铋薄膜呈a轴择优取向,晶粒大小在30~300 nm之间,薄膜的剩余极化强度Pr为15μC/cm2,矫顽力Er为48 kV/cm.
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文献信息
篇名 飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜
来源期刊 中国激光 学科 物理学
关键词 薄膜 铁电薄膜 钛酸铋 脉冲激光沉积法 飞秒
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 薄膜
研究方向 页码范围 832-836
页数 5页 分类号 O4
字数 3470字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.06.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑启光 华中科技大学激光技术国家重点实验室 32 305 10.0 15.0
2 陆培祥 华中科技大学激光技术国家重点实验室 44 232 9.0 12.0
3 杨光 华中科技大学激光技术国家重点实验室 50 460 11.0 20.0
4 周幼华 华中科技大学激光技术国家重点实验室 12 68 6.0 7.0
6 戴能利 华中科技大学激光技术国家重点实验室 19 117 8.0 10.0
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中国激光
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31-1339/TN
大16开
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1974
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