B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响

• 作者: 吕文中 杨涛 汪小红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 钛酸锶钡 氧化镁 氧化硼 铁电材料 相控阵天线
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.08.005

摘要

采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究.结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1 480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1 480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10 kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.003 4,εr可调率达12.6%(3 MV/m),性能有所提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	杨涛	华中科技大学电子科学与技术系	81	692	14.0	22.0
3	汪小红	华中科技大学电子科学与技术系	28	370	11.0	19.0