Si(111)7×7表面Gd@C82分子的STM研究

• 作者: 侯士敏 刘宇 孙涛 施祖进 申自勇 薛增泉 赵兴钰 顾镇南
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Gd@C82 扫描隧道显微镜(STM) 扫描隧道谱(STS) Si(111)7×7
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.01.012

摘要

用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化.