MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器

• 作者: 任忠祥 夏伟 张新 徐现刚 李树强 王翎 马德营
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 低阈值电流 650nm激光器
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1247-1250
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.06.019

摘要

通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏伟	山东大学信息科学与工程学院	56	193	6.0	10.0
3	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
6	王翎	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	9	2.0	3.0
7	李树强	山东大学信息科学与工程学院	3	22	2.0	3.0
11	张新		5	9	2.0	3.0
12	马德营	山东大学晶体材料国家重点实验室	3	56	2.0	3.0
13	任忠祥		3	8	2.0	2.0