SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟

• 作者: 刘素娟 史辰 杨维明 陈建新
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 异质结 双端口网络
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 电子信息与控制工程
• 页码范围: 506-509,513
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.2
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0037.2006.06.007

摘要

针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史辰		1	0	0.0	0.0
2	杨维明		1	0	0.0	0.0
3	刘素娟		1	0	0.0	0.0
4	陈建新		1	0	0.0	0.0