MEXTRAM 504模型及其对SiGe HBT的模拟

• 作者: 肖琼 郑学仁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: MEXTRAM 504 SGP SiGe 集电极外延层模型 自热模型
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 524-528
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 4410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.017

摘要

针对传统SGP模型的不足,介绍了一种新型的BJT模型MEXTRAM 504及其等效电路,与传统模型相比,MEXTRAM显示了极高的准确度.由于特别增加了描述基区缓变和基区载流子复合的两个参数,使MAXTRAM适合模拟加入SiGe工艺技术的HBT,模拟曲线与Medici的模拟相当吻合,为射频器件设计和电路模拟奠定了良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
2	肖琼	华南理工大学微电子研究所	1	2	1.0	1.0