注入剂量对300℃下Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁性影响

• 作者: 付强 石瑛 范湘军 蒋昌忠
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 离子注入 注入剂量 铁磁性
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1429-1432
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 4004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.09.024

摘要

在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层.对p型GaN薄膜用180keV的Mn+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×1015、1.0×1016和5.0×1016cm-2.对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃,时间为30s.用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,在5.0×1015cm-2的注入样品中发现了较强的铁磁性;而1.0×1016和5.0×1016cm-2的Mn+离子注入样品中铁磁响应有所减弱.结合用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对在不同剂量下Mn+注入GaN薄膜的结构、形貌和成分的分析,揭示了不同剂量磁性离子注入给GaN薄膜带来的结构、形貌和相应的铁磁性变化规律,发现只有适当的注入剂量(5.0×1015cm-2)才有利于在300℃下用180keV的Mn+注入对p型GaN薄膜进行磁性离子掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昌忠	武汉大学物理科学与技术学院	43	191	9.0	11.0
2	范湘军	武汉大学物理科学与技术学院	26	237	8.0	14.0
3	付强	武汉大学物理科学与技术学院	26	219	9.0	14.0
4	石瑛	武汉大学物理科学与技术学院	16	128	7.0	11.0