MgSiO3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响

• 作者: 亓鹏 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 氧化锌 压敏电阻 电学非线性 残压比
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.08.006

摘要

采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻.实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA.其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180 V/mm,样品正反面各五次通流40 kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率△V1mA/V1mA分别仅为2.56和-2.9%,且漏电流变化很小.对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	亓鹏	山东大学物理与微电子学院	13	107	7.0	10.0
4	王春明	山东大学物理与微电子学院	14	140	7.0	11.0
5	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
6	臧国忠	山东大学物理与微电子学院	16	145	8.0	11.0