用射频磁控溅射法制备的Zn1-xMgxO薄膜光致发光特性

• 作者: 施朝淑 杨智超 王烨 王燎原 许小亮
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnMgO 光致发光 受激发射阈值
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 319-321
• 页数: 3页
• 分类号: TM91
• 字数: 488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.02.045

摘要

用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0～0.16)薄膜.并在不同温度下退火.对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其中后者有5倍超线性的受激发射,其受激发射阈值与薄膜的退火温度相关,样品中最低受激阈值为40kW/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施朝淑		48	820	15.0	27.0
2	许小亮	中国科学院中国科学技术大学结构分析实验室	45	402	12.0	18.0
6	王燎原	中国科学院中国科学技术大学结构分析实验室	1	3	1.0	1.0
10	王烨	中国科学院中国科学技术大学结构分析实验室	12	72	4.0	8.0
14	杨智超	中国科学院中国科学技术大学结构分析实验室	1	3	1.0	1.0