电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

• 作者: 屈新萍 张永刚 李炳宗 武慧珍 水野文二 茹国平 蒋玉龙 金成国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学电容-电压 超浅结 杂质浓度
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1966-1969
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 3062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.015

摘要

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.