基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术

• 作者: 冯建 张正元 徐世六 胡明雨
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可动部件 硅薄膜 MEMS
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1401-1403
• 页数: 3页
• 分类号: TP2
• 字数: 2327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.023

摘要

对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10 μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正元	四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室	1	6	1.0	1.0
2	徐世六	四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室	1	6	1.0	1.0
3	冯建	四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室	1	6	1.0	1.0
4	胡明雨	四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室	1	6	1.0	1.0