脉冲激光沉积β-FeSi2/Si(111)薄膜的工艺条件

• 作者: 周幼华 杨光 郑启光 陆培祥 龙华
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 β-FeSi2 脉冲激光沉积法 飞秒激光
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1277-1281
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.09.026

摘要

用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的β-FeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.基片温度为500℃,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜.衬底温度为550℃时,β-FeSi2出现迷津状薄层.采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50～100℃;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上,是一种快速高效的β-FeSi2薄膜沉积技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆培祥	华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉光电国家实验室	44	232	9.0	12.0
2	杨光	华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉光电国家实验室	50	460	11.0	20.0
3	周幼华	华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉光电国家实验室	12	68	6.0	7.0
5	龙华	华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉光电国家实验室	23	294	9.0	16.0