微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析

• 作者: 丁万昱 徐军 朴勇 李艳琴 董闯 邓新绿 高鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiNx 磁控溅射 傅里叶变换红外吸收光谱 X射线电子谱
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1363-1368
• 页数: 6页
• 分类号: O53
• 字数: 4311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.03.061

摘要

利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新绿	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	28	356	9.0	17.0
2	丁万昱	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	10	77	6.0	8.0
3	高鹏	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	41	283	10.0	15.0
4	徐军	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
5	朴勇	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	13	66	6.0	7.0
6	李艳琴	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	4	16	2.0	4.0