PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析

• 作者: 宋珍 张福甲 桂文明 欧谷平
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 化学
• 关键词: 表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ITO
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 753-756
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O621.1
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2006.04.040

摘要

利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析. 结果表明, 苝环上的C原子的结合能为284.6 eV, 酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV, 并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象, 界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失, 且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV, C-O-C键中的O原子的结合能为533.4 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧谷平	兰州大学物理科学与技术学院	27	88	6.0	7.0
3	宋珍	北京机械工业学院基础部	13	40	5.0	5.0
4	桂文明	兰州大学物理科学与技术学院	10	56	5.0	7.0
5	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0