一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

• 作者: 冯玉春 刘晓峰 彭冬生 施炜 牛憨笨 王文欣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面处理 MOCVD 横向外延生长 GaN薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3606-3610
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.068

摘要

采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRD FWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施炜	深圳大学光电子学研究所	3	22	3.0	3.0
2	冯玉春	深圳大学光电子学研究所	19	103	7.0	9.0
3	牛憨笨	深圳大学光电子学研究所	71	772	13.0	25.0
4	彭冬生	中国科学院西安光学精密机械研究所	11	47	4.0	6.0
13	刘晓峰	深圳大学光电子学研究所	4	20	2.0	4.0
14	王文欣	深圳大学光电子学研究所	2	18	2.0	2.0