非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷

• 作者: 刘彩池 孙卫忠 徐岳生 牛新环 王海云
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: SI-GaAs 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1544-1547
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.10.008

摘要

用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76 mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析.结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用:杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫忠		15	133	3.0	11.0
2	刘彩池		63	305	11.0	14.0
3	徐岳生		21	163	7.0	12.0
4	牛新环		69	406	10.0	17.0
5	王海云		16	86	5.0	8.0